IPD60R600P7ATMA1

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IPD60R600P7ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 650 V 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET IPD60R600P7ATMA1


立创商城:
N沟道 650V 6A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 30W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 / N-Channel 650 V 6A Tc 30W Tc Surface Mount PG-TO252-3


IPD60R600P7ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.49 Ω

耗散功率 30 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 363pF @400VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R600P7ATMA1
型号: IPD60R600P7ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V

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