晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD60R600P7ATMA1
立创商城:
N沟道 650V 6A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 30W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 / N-Channel 650 V 6A Tc 30W Tc Surface Mount PG-TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.49 Ω
耗散功率 30 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 363pF @400VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS
RoHS标准
含铅标准 Lead Free