IPI024N06N3 G概述
N沟道 60V 120A
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applications
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
IPI024N06N3 G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 23000pF @30VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 24 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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