IPC90N04S53R6ATMA1

IPC90N04S53R6ATMA1图片1
IPC90N04S53R6ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 2.8 V

Summary of Features:

.
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
.
N-channel - Enhancement mode - Normal Level
.
AEC Q101 qualified
.
MSL1 up to 260°C peak reflow
.
175°C operating temperature
.
Green Product RoHS compliant
.
100% Avalanche tested
IPC90N04S53R6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.003 Ω

耗散功率 63 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPC90N04S53R6ATMA1
型号: IPC90N04S53R6ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 2.8 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台