IPAW60R180P7SXKSA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
通孔 N 通道 650 V 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
得捷:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
欧时:
Infineon IPAW60R180P7SXKSA1
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
IPAW60R180P7SXKSA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.145 Ω
耗散功率 26 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1081pF @400VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 26W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, TV power supply, Server, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPAW60R180P7SXKSA1