IPC100N04S5L2R6ATMA1

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IPC100N04S5L2R6ATMA1概述

N沟道 40V 100A

Summary of Features:

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OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
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N-channel - Enhancement mode - Logic Level
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AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested
IPC100N04S5L2R6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 75000 mW

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-34

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-34

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPC100N04S5L2R6ATMA1
型号: IPC100N04S5L2R6ATMA1
描述:N沟道 40V 100A

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