IPC100N04S5L2R6ATMA1概述
N沟道 40V 100A
Summary of Features:
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OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
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N-channel - Enhancement mode - Logic Level
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AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested
IPC100N04S5L2R6ATMA1中文资料参数规格 技术参数
耗散功率 75000 mW
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-34
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
在线购买IPC100N04S5L2R6ATMA1 型号: IPC100N04S5L2R6ATMA1
描述:N沟道 40V 100A