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IDH16G65C5XKSA2概述

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI### 二极管和整流器，Infineon

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

IDH16G65C5XKSA2中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 129 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 16000 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 124 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 16 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 129000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IDH16G65C5XKSA2

型号： IDH16G65C5XKSA2

制造商： Infineon 英飞凌

描述：thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

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