IPD70N12S311ATMA1

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IPD70N12S311ATMA1概述

N沟道 120V 70A

表面贴装型 N 通道 120 V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1


得捷:
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31


立创商城:
N沟道 120V 70A


贸泽:
MOSFET MOSFET_120V,300V


艾睿:
OptiMOS-T Power-Transistor


安富利:
MOSFET_120V,300V


IPD70N12S311ATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125 W

上升时间 8 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD70N12S311ATMA1
型号: IPD70N12S311ATMA1
描述:N沟道 120V 70A

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