IPP60R600P7XKSA1

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IPP60R600P7XKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V

通孔 N 通道 650 V 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220-3


欧时:
Infineon MOSFET IPP60R600P7XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
LOW POWER_NEW


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 30W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 / N-Channel 650 V 6A Tc 30W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP60R600P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.49 Ω

耗散功率 30 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 363pF @400VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, TV power supply, Server, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买IPP60R600P7XKSA1
型号: IPP60R600P7XKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V

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