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IDW20G65C5XKSA1概述

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI### 二极管和整流器，Infineon

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

IDW20G65C5XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 112 W

最大正向浪涌电流（Ifsm） 103 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 20 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 112000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDW20G65C5XKSA1

型号： IDW20G65C5XKSA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管，Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

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