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IDH20G65C5XKSA2概述

Infineon 二极管 IDH20G65C5 肖特基, Io=20A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

IDH20G65C5XKSA2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 157 W

最大正向浪涌电流（Ifsm） 142 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 20 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 157000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IDH20G65C5XKSA2

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Infineon 二极管 IDH20G65C5 肖特基, Io=20A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装

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