IPT60R050G7XTMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 600 V, 0.043 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 44A（Tc） 245W（Tc） PG-HSOF-8-2
欧时:
Infineon MOSFET IPT60R050G7XTMA1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
IPT60R050G7XTMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.043 Ω
耗散功率 245 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2670pF @400VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 245000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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