IPS80R1K2P7AKMA1

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IPS80R1K2P7AKMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 800 V, 1 ohm, 10 V, 3 V

公司的800V CoolMOS™P7 N沟道功率MOSFET是一款高效MOSFET, 具有优秀的RDSon/封装. 这款MOSFET具有一流的效率和温度性能. 800V CoolMOS™P7产品系列专为反激式低功率SMPS应用而开发, 包括适配器和充电器, 照明, 音频SMPS, AUX和工业电源. 提供一流的性价比和出色的易用性, 使该产品成为目标应用的完美选择. 在基于反激式应用中, 与800V CoolMOS™C3相比, 该产品系列可提供0.1%至0.6%的效率增益, 2°C至8°C更低的MOSFET温度. 多种参数经过优化, 例如开关损耗 Eoss和栅极电荷 Qg降低50%, 输入电容 Ciss和输出电容 Coss降低, 提供绝佳的器件性能.

IPS80R1K2P7, SP001644626

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一流的FOM 品质因数 RDSon * Eoss 开关损耗
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一流的DPAK RDSon 280mohm
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实现更高功率密度设计, 节省BOM, 降低装配成本
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一流的V GSth 3V, 小VGSth变化±0.5V
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易于设计
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Class 1C HBM, class 2 HBM, class C3 CDM集成齐纳二极管静电保护
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减少静电产生的故障, 提高产量
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一流的质量和可靠性
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优化产品组合, 易于选择合适的零件, 以便对设计进行微调
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该产品系列具有易用性
IPS80R1K2P7AKMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

耗散功率 37 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 300pF @500VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, 照明, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPS80R1K2P7AKMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 800 V, 1 ohm, 10 V, 3 V

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