IPD60R180P7SAUMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 600 V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD60R180P7SAUMA1
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
CONSUMER
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
IPD60R180P7SAUMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.145 Ω
耗散功率 72 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1081pF @400VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 72000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD60R180P7SAUMA1