IPC70N04S5L4R2ATMA1

IPC70N04S5L4R2ATMA1图片1
IPC70N04S5L4R2ATMA1图片2
IPC70N04S5L4R2ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 1.6 V

Summary of Features:

.
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
.
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
.
AEC Q101 qualified
.
MSL1 up to 260°C peak reflow
.
175°C operating temperature
.
Green Product RoHS compliant
.
100% Avalanche tested
IPC70N04S5L4R2ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0034 Ω

耗散功率 50 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 1230pF @25VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPC70N04S5L4R2ATMA1
型号: IPC70N04S5L4R2ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 1.6 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台