IPT60R080G7XTMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 29A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-2
欧时:
Infineon IPT60R080G7XTMA1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
立创商城:
N沟道 650V 29A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
安富利:
HIGH POWER_NEW
IPT60R080G7XTMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.069 Ω
耗散功率 167 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1640pF @400VVds
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167000 mW
封装参数
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPT60R080G7XTMA1引脚图与封装图 
在线购买IPT60R080G7XTMA1