IAUT165N08S5N029ATMA2

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IAUT165N08S5N029ATMA2概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green product RoHS compliant
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Ultra low Rdson
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100% Avalanche tested
IAUT165N08S5N029ATMA2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0024 Ω

耗散功率 167 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 4900pF @40VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167000 mW

封装参数

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8

外形尺寸

封装 PG-HSOF-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

IAUT165N08S5N029ATMA2引脚图与封装图
IAUT165N08S5N029ATMA2引脚图
IAUT165N08S5N029ATMA2封装图
IAUT165N08S5N029ATMA2封装焊盘图
在线购买IAUT165N08S5N029ATMA2
型号: IAUT165N08S5N029ATMA2
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V

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