IPD60R360P7SAUMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD60R360P7SAUMA1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
立创商城:
N沟道 600V 9A
贸泽:
MOSFET CONSUMER
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A T/R
安富利:
CONSUMER
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 / N-Channel 600 V 9A Tc 41W Tc Surface Mount PG-TO252-3
IPD60R360P7SAUMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
耗散功率 41 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 555pF @400VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 41000 mW
封装参数
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD60R360P7SAUMA1