IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6XKSA1图片1
IDH10G65C6XKSA1概述

二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220

二极管 碳化硅肖特基 24A(DC) 通孔 PG-TO220-2


欧时:
Infineon IDH10G65C6XKSA1


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220


艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 72W; PG-TO220-2


IDH10G65C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 72000 mW

正向电流 24 A

正向电流Max 24 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 72000 mW

封装参数

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDH10G65C6XKSA1
型号: IDH10G65C6XKSA1
描述:二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台