IPW80R360P7XKSA1

IPW80R360P7XKSA1图片1
IPW80R360P7XKSA1图片2
IPW80R360P7XKSA1图片3
IPW80R360P7XKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 800 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V

公司的800V CoolMOS™P7 N沟道功率MOSFET是一款高效MOSFET, 具有优秀的RDSon/封装. 这款MOSFET具有一流的效率和温度性能. 800V CoolMOS™P7产品系列专为反激式低功率SMPS应用而开发, 包括适配器和充电器, 照明, 音频SMPS, AUX和工业电源. 提供一流的性价比和出色的易用性, 使该产品成为目标应用的完美选择. 在基于反激式应用中, 与800V CoolMOS™C3相比, 该产品系列可提供0.1%至0.6%的效率增益, 2°C至8°C更低的MOSFET温度. 多种参数经过优化, 例如开关损耗 Eoss和栅极电荷 Qg降低50%, 输入电容 Ciss和输出电容 Coss降低, 提供绝佳的器件性能.

IPW80R360P7, SP001633520

.
一流的FOM 品质因数 RDSon * Eoss 开关损耗
.
一流的DPAK RDSon 280mohm
.
实现更高功率密度设计, 节省BOM, 降低装配成本
.
一流的V GSth 3V, 小VGSth变化±0.5V
.
易于设计
.
Class 1C HBM, class 2 HBM, class C3 CDM集成齐纳二极管静电保护
.
减少静电产生的故障, 提高产量
.
一流的质量和可靠性
.
优化产品组合, 易于选择合适的零件, 以便对设计进行微调
.
该产品系列具有易用性
IPW80R360P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.31 Ω

耗散功率 84 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 930 pF

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 84W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, 照明, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPW80R360P7XKSA1
型号: IPW80R360P7XKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 800 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台