IGT60R070D1ATMA1

晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 0.055 ohm, 1.2 V

推出GaN增强模式高电子迁移率晶体管 e‑mode HEMT, 提供业界领先的性能, 坚固耐用, 并且降低整体系统成本。CoolGaN™晶体管采用高可靠性GaN技术制造, 量身定制, 在开关模式电源内提供市场上最好的效率和密度。该产品经过严格应用设计, 超越市场上其他GaN产品。

IGT60R070D1, SP001300364

得捷:
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF

艾睿:
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin8+Tab HSOF T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 8-Pin HSOF

Verical:
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin8+Tab HSOF T/R