IKB20N65EH5ATMA1

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IKB20N65EH5ATMA1概述

单晶体管, IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 38 A 125 W 表面贴装型 PG-TO263-3


得捷:
INDUSTRY 14


贸泽:
IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i


e络盟:
单晶体管, IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚


艾睿:
TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT


安富利:
INDUSTRY 14


Win Source:
INDUSTRY 14 / IGBT Trench Field Stop 650 V 38 A 125 W Surface Mount PG-TO263-3


IKB20N65EH5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 80 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKB20N65EH5ATMA1
型号: IKB20N65EH5ATMA1
描述:单晶体管, IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263, 3 引脚

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