JANTX2N2907AUA参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N2907AUA概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Design various electronic circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N2907AUA中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N2907AUA

型号： JANTX2N2907AUA

制造商： Microsemi 美高森美

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

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替代型号JANTX2N2907AUA

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