JANTX2N3019S

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JANTX2N3019S概述

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This 2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.   also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag


JANTX2N3019S中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes

数据手册

在线购买JANTX2N3019S
型号: JANTX2N3019S
描述:低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
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