JANTX2N3637参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N3637概述

PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 175V 1A 3-Pin TO-39

Verical:
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTX2N3637中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 175 V

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes

数据手册

在线购买JANTX2N3637

型号： JANTX2N3637

描述：PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

替代型号JANTX2N3637