FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
The is a N-channel Switch feature source and drain are interchangeable. This device is designed for low level analogue switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk
安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk
富昌:
J111系列 35 V 20 mA 通孔 N沟道 开关 - TO-92
TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 350mW; TO92; Igt:50mA
Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 RF FET Transistor, 35 V, 625 mW, TO-92
Win Source:
JFET N-CH 35V 625MW TO92
额定电压DC 35.0 V
额定电流 50.0 mA
额定功率 350 mW
击穿电压 -35.0 V
针脚数 3
漏源极电阻 30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 35 V
连续漏极电流Ids 20.0 mA
击穿电压 35 V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
J111 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
J111_D75Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | J111和J111_D75Z的区别 |
J112 飞兆/仙童 | 类似代替 | J111和J112的区别 |
J111_D26Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | J111和J111_D26Z的区别 |