J111

J111图片1
J111图片2
J111图片3
J111图片4
J111图片5
J111图片6
J111图片7
J111图片8
J111图片9
J111图片10
J111图片11
J111图片12
J111图片13
J111图片14
J111图片15
J111图片16
J111图片17
J111概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92

The is a N-channel Switch feature source and drain are interchangeable. This device is designed for low level analogue switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.

.
50mA Forward gate current
.
625mW Total device dissipation

艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
J111系列 35 V 20 mA 通孔 N沟道 开关 - TO-92


TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 350mW; TO92; Igt:50mA


Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  RF FET Transistor, 35 V, 625 mW, TO-92


Win Source:
JFET N-CH 35V 625MW TO92


J111中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 350 mW

击穿电压 -35.0 V

针脚数 3

漏源极电阻 30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

漏源极电压Vds 35 V

连续漏极电流Ids 20.0 mA

击穿电压 35 V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买J111
型号: J111
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
替代型号J111
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

J111

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

J111_D75Z

飞兆/仙童

完全替代

J111和J111_D75Z的区别

J112

飞兆/仙童

类似代替

J111和J112的区别

J111_D26Z

飞兆/仙童

类似代替

J111和J111_D26Z的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台