JANS2N3700UB

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JANS2N3700UB概述

Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin UB

This 2N3700UB NPN ceramic surface mount device is military qualified for high-reliability applications.


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN JANS2N3700UB GP BJT from Microsemi. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle


JANS2N3700UB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD

外形尺寸

封装 SMD

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANS2N3700UB
型号: JANS2N3700UB
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin UB
替代型号JANS2N3700UB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANS2N3700UB

Microsemi 美高森美

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