J112_D11Z

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J112_D11Z中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 50 Ω

击穿电压 35 V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买J112_D11Z
型号: J112_D11Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:JFET N-CH 35V 625mW TO92

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