J112_D27Z

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J112_D27Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 50.0 mA

漏源极电阻 50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

漏源极电压Vds 35.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 mA

击穿电压 35 V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买J112_D27Z
型号: J112_D27Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:JFET N-CH 35V 625mW TO92
替代型号J112_D27Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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