J112_D74Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

J112_D74Z中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 50.0 mA

击穿电压 -35.0 V

漏源极电阻 50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

漏源极电压Vds 35.0 V

栅源击穿电压 35 V

连续漏极电流Ids 5.00 mA

击穿电压 35 V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买J112_D74Z

型号： J112_D74Z

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J112_D74Z JFET Transistor, Junction Field Effect, -35V, 5mA, -5V, TO-92, JFET

替代型号J112_D74Z