J176,126

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J176,126概述

Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo

JFET P 通道 30 V 400 mW 通孔 TO-92-3


得捷:
JFET P-CH 30V TO92-3


艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3-Pin SPT Ammo


Verical:
Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3-Pin SPT Ammo


J176,126中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 250 Ω

漏源极电压Vds 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 8pF @10VVgs

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

宽度 4.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买J176,126
型号: J176,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo
替代型号J176,126
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