Trans JFET N-CH 25V 80mA Si 3Pin SPT Ammo
JFET N-Channel 25V 400mW Through Hole TO-92-3
得捷:
JFET N-CH 25V TO92-3
贸泽:
RF JFET Transistors N-Channel Single "+/- 25V 80mA
艾睿:
Trans JFET N-CH 25V 80mA Si 3-Pin SPT Ammo
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 80mA Si 3-Pin SPT Ammo
漏源极电阻 8 Ω
耗散功率 400 mW
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 25 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 30pF @0VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
J108,126 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBFJ108,215 恩智浦 | 功能相似 | J108,126和PMBFJ108,215的区别 |