J113_D74Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 100 Ω
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 35.0 V
栅源击穿电压 35 V
连续漏极电流Ids 2.00 mA
击穿电压 35 V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买J113_D74Z
替代型号J113_D74Z
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
J113_D74Z Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
J113_D75Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | J113_D74Z和J113_D75Z的区别 |
J112-TR1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | J113_D74Z和J112-TR1-E3的区别 |