JDP2S12CRTE85L,Q

JDP2S12CRTE85L,Q图片1
JDP2S12CRTE85L,Q概述

PIN 二极管 Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm

RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT 1.6x3.5


得捷:
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT


贸泽:
PIN 二极管 Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm


艾睿:
Diode PIN Switch 180V 1000mA 2-Pin S-FLAT T/R


DeviceMart:
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT


Win Source:
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT


JDP2S12CRTE85L,Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

正向电流Max 1000 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 S-FLAT-2

外形尺寸

封装 S-FLAT-2

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买JDP2S12CRTE85L,Q
型号: JDP2S12CRTE85L,Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:PIN 二极管 Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台