J110,126

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J110,126概述

Trans JFET N-CH 25V 10mA Si 3Pin SPT Ammo

JFET N-Channel 25V 400mW Through Hole TO-92-3


得捷:
JFET N-CH 25V TO92-3


艾睿:
Trans JFET N-CH 25V 10mA Si 3-Pin SPT Ammo


J110,126中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 18 Ω

漏源极电压Vds 25 V

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 30pF @0VVds

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买J110,126
型号: J110,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans JFET N-CH 25V 10mA Si 3Pin SPT Ammo
替代型号J110,126
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

J110,126

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMBFJ110,215

恩智浦

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