J177,126

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J177,126概述

射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS

JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92


得捷:
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3


贸泽:
射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS


艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 20mA Si 3-Pin SPT Ammo


Chip1Stop:
Trans JFET P-CH 30V 20mA Si 3-Pin SPT Ammo


J177,126中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 300 Ω

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 8pF @10VVgs

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买J177,126
型号: J177,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS
替代型号J177,126
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