J112RLRA参数规格_中文资料_数据手册PDF

J112RLRA概述

JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion

JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3

得捷:
JFET N-CH 35V 0.35W TO92

艾睿:
Trans JFET N-CH 5mA 3-Pin TO-92 T/R

J112RLRA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 50.0 mA

漏源极电阻 50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 35.0 V

栅源击穿电压 35.0 V

击穿电压 35 V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： J112RLRA

描述：JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion

替代型号J112RLRA