J113,126

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J113,126概述

IC JFET N-CH 40V 2mA TO92-3

JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3


得捷:
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3


贸泽:
JFET AMMORA FET-RFSS


艾睿:
Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo


Verical:
Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo


J113,126中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 100 Ω

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

栅源击穿电压 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 6pF @10VVgs

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

宽度 3.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买J113,126
型号: J113,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:IC JFET N-CH 40V 2mA TO92-3
替代型号J113,126
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

J113,126

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