J175"D26Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
针脚数 3
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 33.5 mA
击穿电压 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92
外形尺寸
封装 TO-92
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR, Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买J175"D26Z
型号： J175"D26Z
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J175"D26Z 场效应管, JFET, 30V, 60mA, TO-92-3
替代型号J175"D26Z
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
J175"D26Z Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
J175 飞兆/仙童 | 类似代替 | J175"D26Z和J175的区别 |