JAN2N2907A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2907A概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BJTs

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

JAN2N2907A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

输入电容 30 pF

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N2907A

型号： JAN2N2907A

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2907A