JAN1N645-1

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JAN1N645-1概述

硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

Diode Standard 225V 400mA Through Hole DO-35


艾睿:
Converting from AC to DC is simple when using a switching diode JAN1N645-1 rectifier from Microsemi. Its maximum power dissipation is 500 mW. Its peak non-repetitive surge current is 5 A, while its maximum continuous forward current is 0.4 A. It is made in a single configuration. This rectifier has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.


Chip1Stop:
Diode Switching 225V 0.4A 2-Pin DO-35


Verical:
Rectifier Diode Switching 225V 0.4A 2-Pin DO-35 Bag


JAN1N645-1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @400mA

正向电流 400 mA

正向电流Max 400 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: JAN1N645-1
描述:硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes
替代型号JAN1N645-1
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