JANTX2N2484参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N2484概述

JANTX 系列 60 V 50 mA 360 mW 通孔 NPN 开关晶体管 - TO-18

Implement this NPN GP BJT from to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANTX2N2484中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 225 @10mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N2484

型号： JANTX2N2484

制造商： Microsemi 美高森美

描述：JANTX 系列 60 V 50 mA 360 mW 通孔 NPN 开关晶体管 - TO-18

立即咨询

替代型号JANTX2N2484

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTX2N2484 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTXV2N2484 美高森美	完全替代	JANTX2N2484和JANTXV2N2484的区别
2N2484 美高森美	完全替代	JANTX2N2484和2N2484的区别
JANS2N2484 美高森美	完全替代	JANTX2N2484和JANS2N2484的区别