JANTX1N975B-1

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JANTX1N975B-1概述

冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• 1N962B-1 THRU 1N986B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/117

• METALLURGICALLY BONDED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION


艾睿:
Diode Zener Single 39V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag


Chip1Stop:
Diode Zener Single 39V 5% 500mW 2-Pin DO-35


Verical:
Diode Zener Single 39V 5% 500mW 2-Pin DO-35


JANTX1N975B-1中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1 V

耗散功率 500 mW

测试电流 3.2 mA

稳压值 39 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 4.44 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX1N975B-1
型号: JANTX1N975B-1
描述:冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
替代型号JANTX1N975B-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX1N975B-1

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

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