JANTX2N3700参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N3700概述

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This 2N3700 NPN transistor comes in a hermetically sealed metal TO-18 package and is military qualified for high-reliability applications.

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-18

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Win Source:
TRANS NPN 80V 1A

JANTX2N3700中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N3700

型号： JANTX2N3700

描述：低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTX2N3700