JANTXV2N3700参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3700概述

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This 2N3700 NPN transistor comes in a hermetically sealed metal TO-18 package and is military qualified for high-reliability applications.

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

JANTXV2N3700中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N3700

型号： JANTXV2N3700

描述：低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N3700

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTXV2N3700 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTX2N3700 美高森美	完全替代	JANTXV2N3700和JANTX2N3700的区别
JANS2N3700 Semicoa Semiconductor	类似代替	JANTXV2N3700和JANS2N3700的区别
2N3700JX Semicoa Semiconductor	类似代替	JANTXV2N3700和2N3700JX的区别