低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
This 2N3700 NPN transistor comes in a hermetically sealed metal TO-18 package and is military qualified for high-reliability applications.
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-18
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18-3
封装 TO-18-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JAN2N3700 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
JANTX2N3700 美高森美 | 完全替代 | JAN2N3700和JANTX2N3700的区别 |
JANS2N3700 Semicoa Semiconductor | 类似代替 | JAN2N3700和JANS2N3700的区别 |
BCP53 安森美 | 功能相似 | JAN2N3700和BCP53的区别 |