每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
通孔 N 通道 100 V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
贸泽:
MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
富昌:
单 N-沟道 100 V 25 W 通孔 Mosfet - TO-39
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 8A
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
耗散功率 800 mW
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 75 ns
额定功率Max 800 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205-3
封装 TO-205-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JANTX2N6796 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6796
| 功能相似 | JANTX2N6796和2N6796的区别 |
IRFF130
| 功能相似 | JANTX2N6796和IRFF130的区别 |