JAN2N2906A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2906A概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18

JAN2N2906A中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N2906A

型号： JAN2N2906A

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2906A