JANTX2N2369A

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JANTX2N2369A概述

Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18

Bipolar BJT Transistor NPN 15V 360mW Through Hole TO-18 TO-206AA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18


Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag


JANTX2N2369A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买JANTX2N2369A
型号: JANTX2N2369A
描述:Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18
替代型号JANTX2N2369A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N2369A

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N2369A

美高森美

完全替代

JANTX2N2369A和JAN2N2369A的区别

2N2369A

美高森美

完全替代

JANTX2N2369A和2N2369A的区别

JANS2N2369A

美高森美

完全替代

JANTX2N2369A和JANS2N2369A的区别

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