JAN2N2369A

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JAN2N2369A概述

NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4.5 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 4.5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JAN2N2369A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N2369A
型号: JAN2N2369A
描述:NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR
替代型号JAN2N2369A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N2369A

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N2369A

美高森美

完全替代

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美高森美

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Central Semiconductor

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