JAN2N720A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N720A概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

JAN2N720A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N720A

型号： JAN2N720A

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N720A